Название электронного компонента: IXTM67N100 Описание IXTM67N100: 1000V HiPerFET power MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-204 (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXTM67N100 datasheet: 111Kb Скачать IXTM67N100 datasheet: IXTM67N100.PDF |