|
 |
Название электронного компонента: IXTH67N10 Описание IXTH67N10: 1000V HiPerFET power MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-247 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXTH67N10 datasheet: 111Kb Скачать IXTH67N10 datasheet: IXTH67N10.PDF |