Название электронного компонента: IXTH75N10 Описание IXTH75N10: 1000V HiPerFET power MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-247 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXTH75N10 datasheet: 111Kb Скачать IXTH75N10 datasheet: IXTH75N10.PDF |