Название электронного компонента: IXTH21N50 Описание IXTH21N50: 500V HiPerFET power MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-247 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXTH21N50 datasheet: 108Kb Скачать IXTH21N50 datasheet: IXTH21N50.PDF |