|
 |
Название электронного компонента: IXTH11N80 Описание IXTH11N80: 800V HiPerFET power MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-247 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXTH11N80 datasheet: 98Kb Скачать IXTH11N80 datasheet: IXTH11N80.PDF |