|
 |
Название электронного компонента: IXTM12N100 Описание IXTM12N100: 1000V HiPerFET power MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-204 (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXTM12N100 datasheet: 106Kb Скачать IXTM12N100 datasheet: IXTM12N100.PDF |