|
 |
Название электронного компонента: IXTH10N100 Описание IXTH10N100: 1000V HiPerFET power MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-247 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXTH10N100 datasheet: 106Kb Скачать IXTH10N100 datasheet: IXTH10N100.PDF |