|
 |
Название электронного компонента: IXSH35N100A Описание IXSH35N100A: 1000V HiPerFET power MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-247 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXSH35N100A datasheet: 80Kb Скачать IXSH35N100A datasheet: IXSH35N100A.PDF |