Название электронного компонента: IXTH13N110 Описание IXTH13N110: 1100V MegaMOS FET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-247 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXTH13N110 datasheet: 46Kb Скачать IXTH13N110 datasheet: IXTH13N110.PDF |