|
 |
Название электронного компонента: IXFN32N60 Описание IXFN32N60: 600V HiPerFET power MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT-227B (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXFN32N60 datasheet: 192Kb Скачать IXFN32N60 datasheet: IXFN32N60.PDF |