|
 |
Название электронного компонента: IXTK21N100 Описание IXTK21N100: 600V high voltage megaMOS FET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-264 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXTK21N100 datasheet: 137Kb Скачать IXTK21N100 datasheet: IXTK21N100.PDF |