|
 |
Название электронного компонента: IXTN21N100 Описание IXTN21N100: 600V high voltage megaMOS FET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT-227B (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXTN21N100 datasheet: 137Kb Скачать IXTN21N100 datasheet: IXTN21N100.PDF |