|
 |
Название электронного компонента: IXFN25N80 Описание IXFN25N80: 800V HiPerFET power MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT-227B (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXFN25N80 datasheet: 151Kb Скачать IXFN25N80 datasheet: IXFN25N80.PDF |