|
 |
Название электронного компонента: IXFN50N50 Описание IXFN50N50: 500V HiPerFET power MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT-227B (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXFN50N50 datasheet: 386Kb Скачать IXFN50N50 datasheet: IXFN50N50.PDF |