|
 |
Название электронного компонента: IXFN170N10 Описание IXFN170N10: 100V HiPerFET power MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT-227B (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXFN170N10 datasheet: 145Kb Скачать IXFN170N10 datasheet: IXFN170N10.PDF |