|
 |
Название электронного компонента: IXFN25N90 Описание IXFN25N90: 900V HiPerFET power MOSFET, single die MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT-227B (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXFN25N90 datasheet: 141Kb Скачать IXFN25N90 datasheet: IXFN25N90.PDF |