|
 |
Название электронного компонента: IXFN200N06 Описание IXFN200N06: 60V HiPerFET power MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT-227B (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXFN200N06 datasheet: 188Kb Скачать IXFN200N06 datasheet: IXFN200N06.PDF |