Название электронного компонента: IXFT12N100Q Описание IXFT12N100Q: 1000V HiPerFET power MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-268 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXFT12N100Q datasheet: 118Kb Скачать IXFT12N100Q datasheet: IXFT12N100Q.PDF |