Название электронного компонента: IXFT12N100 Описание IXFT12N100: 1000V HiPerFET power MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-268 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXFT12N100 datasheet: 75Kb Скачать IXFT12N100 datasheet: IXFT12N100.PDF |