|
 |
Название электронного компонента: IXFN36N100 Описание IXFN36N100: 1000V HiPerFET power MOSFET single die MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT-227B (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXFN36N100 datasheet: 122Kb Скачать IXFN36N100 datasheet: IXFN36N100.PDF |