|
 |
Название электронного компонента: IXFN80N50 Описание IXFN80N50: 500V HiPerFET power MOSFET single die MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT-227B (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXFN80N50 datasheet: 126Kb Скачать IXFN80N50 datasheet: IXFN80N50.PDF |