|
 |
Название электронного компонента: IXFN180N10 Описание IXFN180N10: 100V HiPerFET power MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT-227B (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXFN180N10 datasheet: 84Kb Скачать IXFN180N10 datasheet: IXFN180N10.PDF |