|
 |
Название электронного компонента: IXGH31N60D1 Описание IXGH31N60D1: 600V HiPerFET power MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-247 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXGH31N60D1 datasheet: 53Kb Скачать IXGH31N60D1 datasheet: IXGH31N60D1.PDF |