Название электронного компонента: IXGT31N60D1 Описание IXGT31N60D1: 600V HiPerFET power MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-268 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXGT31N60D1 datasheet: 53Kb Скачать IXGT31N60D1 datasheet: IXGT31N60D1.PDF |