Название электронного компонента: IXFR12N100Q Описание IXFR12N100Q: 1000V HiPerFET power MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: ISOPLUS247 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXFR12N100Q datasheet: 33Kb Скачать IXFR12N100Q datasheet: IXFR12N100Q.PDF |