|
 |
Название электронного компонента: IXFN23N100 Описание IXFN23N100: 1000V HiPerFET power MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT-227B (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXFN23N100 datasheet: 85Kb Скачать IXFN23N100 datasheet: IXFN23N100.PDF |