|
 |
Название электронного компонента: IXFN100N10S1 Описание IXFN100N10S1: 100V HiPerFET power MOSFET with schottky diodes Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -40°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT-227B (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXFN100N10S1 datasheet: 99Kb Скачать IXFN100N10S1 datasheet: IXFN100N10S1.PDF |