Название электронного компонента: IXFN100N10S3 Описание IXFN100N10S3: 100V HiPerFET power MOSFET with schottky diodes Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -40°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT-227B (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXFN100N10S3 datasheet: 99Kb Скачать IXFN100N10S3 datasheet: IXFN100N10S3.PDF |