Название электронного компонента: IXFH4N100Q Описание IXFH4N100Q: 1000V HiPerFET power MOSFET Q-class Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-247AD (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXFH4N100Q datasheet: 87Kb Скачать IXFH4N100Q datasheet: IXFH4N100Q.PDF |