|
 |
Название электронного компонента: IXBT16N170 Описание IXBT16N170: 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-268 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXBT16N170 datasheet: 50Kb Скачать IXBT16N170 datasheet: IXBT16N170.PDF |