|
 |
Название электронного компонента: IXBH16N170 Описание IXBH16N170: 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-247AD (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXBH16N170 datasheet: 50Kb Скачать IXBH16N170 datasheet: IXBH16N170.PDF |