Название электронного компонента: IXFH6N100F Описание IXFH6N100F: 1000V HiPerRF power MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-247AD (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXFH6N100F datasheet: 118Kb Скачать IXFH6N100F datasheet: IXFH6N100F.PDF |