|
 |
Название электронного компонента: IXFN21N100Q Описание IXFN21N100Q: 1000V trench power MOSFET Q-class Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT-227B (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXFN21N100Q datasheet: 126Kb Скачать IXFN21N100Q datasheet: IXFN21N100Q.PDF |