Название электронного компонента: IXFN27N80Q Описание IXFN27N80Q: 800V HiPerFET power MOSFET Q-class Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT-227B (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXFN27N80Q datasheet: 108Kb Скачать IXFN27N80Q datasheet: IXFN27N80Q.PDF |