|
 |
Название электронного компонента: IXFN55N50F Описание IXFN55N50F: 500V HiPerRF power MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT-227B (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXFN55N50F datasheet: 106Kb Скачать IXFN55N50F datasheet: IXFN55N50F.PDF |