Название электронного компонента: IXFT12N100F Описание IXFT12N100F: 1000V HiPerRF power MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-268 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXFT12N100F datasheet: 99Kb Скачать IXFT12N100F datasheet: IXFT12N100F.PDF |