|
 |
Название электронного компонента: IXFN24N100F Описание IXFN24N100F: 1000V HiPerRF power MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT-227B (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXFN24N100F datasheet: 105Kb Скачать IXFN24N100F datasheet: IXFN24N100F.PDF |