|
 |
Название электронного компонента: IXTH1N100 Описание IXTH1N100: 1000V high voltage MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-247AD (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXTH1N100 datasheet: 73Kb Скачать IXTH1N100 datasheet: IXTH1N100.PDF |