|
 |
Название электронного компонента: IXTT1N100 Описание IXTT1N100: 1000V high voltage MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-268 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXTT1N100 datasheet: 73Kb Скачать IXTT1N100 datasheet: IXTT1N100.PDF |