|
 |
Название электронного компонента: IXDT30N120 Описание IXDT30N120: 1200V high voltage IGBT with optional diode Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-268AA (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXDT30N120 datasheet: 86Kb Скачать IXDT30N120 datasheet: IXDT30N120.PDF |