|
 |
Название электронного компонента: IXDN55N120 Описание IXDN55N120: 1200V high voltage IGBT with optional diode Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -40°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT-227B (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXDN55N120 datasheet: 72Kb Скачать IXDN55N120 datasheet: IXDN55N120.PDF |