|
 |
Название электронного компонента: IW4023BN Описание IW4023BN: Triple 3-input NAND gate, high-voltage silicon-gate CMOS Производитель: INTGR Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 125°C Корпус и выводы: Plastic DIP (Pins: 14) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IW4023BN datasheet: 108Kb Скачать IW4023BN datasheet: IW4023BN.PDF |