Название электронного компонента: DR200G Описание DR200G: 50 V, 2 A, glass passivated junction silicon rectifier Производитель: EIC Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 175°C Корпус и выводы: D2 (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер DR200G datasheet: 39Kb Скачать DR200G datasheet: DR200G.PDF |