Название электронного компонента: DR210G Описание DR210G: 1000 V, 2 A, glass passivated junction silicon rectifier Производитель: EIC Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 175°C Корпус и выводы: D2 (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер DR210G datasheet: 39Kb Скачать DR210G datasheet: DR210G.PDF |