Название электронного компонента: RBV1002D Описание RBV1002D: 200 V, 10 A, silicon bridge rectifier Производитель: EIC Темп. диапазон: Min: -40°C | Max: 150°C Корпус и выводы: RBV25 (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер RBV1002D datasheet: 41Kb Скачать RBV1002D datasheet: RBV1002D.PDF |