|
 |
Название электронного компонента: RBV810D Описание RBV810D: 1000 V, 8 A, silicon bridge rectifier Производитель: EIC Темп. диапазон: Min: -40°C | Max: 150°C Корпус и выводы: RBV25 (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер RBV810D datasheet: 19Kb Скачать RBV810D datasheet: RBV810D.PDF |