|
 |
Название электронного компонента: STH8N80FI Описание STH8N80FI: Power dissipation 70 W Transistor polarity N Channel Current Id cont. 5.1 A Current Idm pulse 35 A Voltage isolation 4 kV Pitch lead 5.45 mm Voltage Vds max 800 V Resistance Rds on 1.2 R Производитель: SGS-Thomson Microelectronics Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: ISOWATT-218 (Pins: N/A) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер STH8N80FI datasheet: 345Kb Скачать STH8N80FI datasheet: STH8N80FI.PDF |