|
 |
Название электронного компонента: STH60N10 Описание STH60N10: Power dissipation 200 W Transistor polarity N Channel Current Id cont. 60 A Current Idm pulse 240 A Pitch lead 5.45 mm Voltage Vds max 100 V Resistance Rds on 0.025 R Temperature current 25 ?C Производитель: SGS-Thomson Microelectronics Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: TO-218 (Pins: N/A) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер STH60N10 datasheet: 246Kb Скачать STH60N10 datasheet: STH60N10.PDF |