Название электронного компонента: STH4N90 Описание STH4N90: Power dissipation 125 W Transistor polarity N Channel Current Id cont. 4.2 A Current Idm pulse 16 A Pitch lead 5.45 mm Voltage Vds max 900 V Resistance Rds on 3.2 R Temperature current 25 ?C Производитель: SGS-Thomson Microelectronics Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: TO-218 (Pins: N/A) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер STH4N90 datasheet: 621Kb Скачать STH4N90 datasheet: STH4N90.PDF |