|
 |
Название электронного компонента: 1N5350B Описание 1N5350B: Glass passivated junction silicon zener diode. Power 5.0 Watt. Vz @ Izt = 13V, Izt = 100mA Производитель: PAJIT Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: DO-201AE (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер 1N5350B datasheet: 306Kb Скачать 1N5350B datasheet: 1N5350B.PDF |